NVHL040N120SC1

Numărul de produs al producătorului:

NVHL040N120SC1

Product Overview

Producător:

onsemi

DiGi Electronics Cod de parte:

NVHL040N120SC1-DG

Descriere:

SICFET N-CH 1200V 60A TO247-3

Descriere detaliată:

N-Channel 1200 V 60A (Tc) 348W (Tc) Through Hole TO-247-3

Inventar:

752 Piese Noi Originale În Stoc

12938159

Cere ofertă

Cantitate
Minim 1

(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore

TRIMITE

NVHL040N120SC1 Specificații tehnice

Categorie

FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri

Producător

onsemi

Ambalare

Tube

Serie

-

Starea produsului

Active

Tip FET

N-Channel

Tehnologie

SiCFET (Silicon Carbide)

Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)

1200 V

Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C

60A (Tc)

Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)

20V

Rds Activat (Max) @ Id, Vgs

56mOhm @ 35A, 20V

Vgs(th) (Max) @ Id

4.3V @ 10mA

Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs

106 nC @ 20 V

Vgs (Max)

+25V, -15V

Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds

1781 pF @ 800 V

Caracteristică FET

-

Disiparea puterii (max)

348W (Tc)

Temperatura

-55°C ~ 175°C (TJ)

Clasă

Automotive

Calificare

AEC-Q101

Tip de montare

Through Hole

Pachet dispozitiv furnizor

TO-247-3

Pachet / Carcasă

TO-247-3

Numărul de bază al produsului

NVHL040

Fișa de date și documente

Fișa de date HTML

NVHL040N120SC1-DG

Fișe tehnice

Informații suplimentare

Alte nume

488-NVHL040N120SC1

Pachet standard

30

Clasificare de Mediu și Export

Starea RoHS

ROHS3 Compliant

Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)

Not Applicable

Starea REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Certificare DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Produse Asemănătoare

onsemi

MTD2N40E

N-CHANNEL POWER MOSFET

onsemi

MTP5N40E

N-CHANNEL POWER MOSFET

NX2020P1115

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR

onsemi

MTD2N40ET4

N-CHANNEL POWER MOSFET