Numărul de produs al producătorului:
NVD5867NLT4G
Product Overview
Producător:
onsemi
DiGi Electronics Cod de parte:
NVD5867NLT4G-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 60V 6A/22A DPAK-3
Descriere detaliată:
N-Channel 60 V 6A (Ta), 22A (Tc) 3.3W (Ta), 43W (Tc) Surface Mount DPAK-3
Inventar:
12841530
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
NVD5867NLT4G Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
onsemi
Ambalare
-
Serie
-
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
60 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
6A (Ta), 22A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
39mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
15 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
675 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
3.3W (Ta), 43W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Clasă
Automotive
Calificare
AEC-Q101
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
DPAK-3
Pachet / Carcasă
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Numărul de bază al produsului
NVD586
Informații suplimentare
Alte nume
2156-NVD5867NLT4G
ONSONSNVD5867NLT4G
Pachet standard
2,500
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
NVD5C688NLT4G
PRODUCĂTOR
onsemi
CANTITATE DISPONIBILĂ
2450
DiGi NUMĂR DE PARTE
NVD5C688NLT4G-DG
PREȚ UNIC
0.58
TIP SUBSTITUT
Similar
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
NVD6495NLT4G-VF01
MOSFET N-CH 100V 25A DPAK
NVMFS4C310NT3G
MOSFET N-CH 30V TRENCH
NTD4804NA-35G
MOSFET N-CH 30V 14.5A/124A IPAK
