Numărul de produs al producătorului:
NVBG070N120M3S
Product Overview
Producător:
onsemi
DiGi Electronics Cod de parte:
NVBG070N120M3S-DG
Descriere:
SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET-ELI
Descriere detaliată:
N-Channel 1200 V 36A (Tc) 172W (Tc) Surface Mount D2PAK-7
Inventar:
790 Piese Noi Originale În Stoc
13255997
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
NVBG070N120M3S Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
onsemi
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
1200 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
36A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
18V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
87mOhm @ 15A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.4V @ 7mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
57 nC @ 18 V
Vgs (Max)
+22V, -10V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
1230 pF @ 800 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
172W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Clasă
Automotive
Calificare
AEC-Q101
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
D2PAK-7
Pachet / Carcasă
TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Fișa de date și documente
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
488-NVBG070N120M3STR
488-NVBG070N120M3SDKR
488-NVBG070N120M3SCT
Pachet standard
800
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
NTBG070N120M3S
PRODUCĂTOR
onsemi
CANTITATE DISPONIBILĂ
798
DiGi NUMĂR DE PARTE
NTBG070N120M3S-DG
PREȚ UNIC
5.62
TIP SUBSTITUT
Parametric Equivalent
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
NTBLS0D8N08XTXG
MOSFET, POWER 80V SINGLE N-CHANN
NVH4L095N065SC1
SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET, NC
NTBG070N120M3S
SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - E