Numărul de produs al producătorului:
NVBG025N065SC1
Product Overview
Producător:
onsemi
DiGi Electronics Cod de parte:
NVBG025N065SC1-DG
Descriere:
SIC MOS D2PAK-7L 650V
Descriere detaliată:
N-Channel 650 V 106A (Tc) 395W (Tc) Surface Mount D2PAK-7
Inventar:
13002457
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
NVBG025N065SC1 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
onsemi
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
SiCFET (Silicon Carbide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
650 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
106A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
15V, 18V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
28.5mOhm @ 45A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.3V @ 15.5mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
164 nC @ 18 V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
3480 pF @ 325 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
395W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Clasă
Automotive
Calificare
AEC-Q101
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
D2PAK-7
Pachet / Carcasă
TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Numărul de bază al produsului
NVBG025
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
488-NVBG025N065SC1DKR
488-NVBG025N065SC1TR
488-NVBG025N065SC1CT
Pachet standard
800
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
G700P06J
P-60V,-23A,RD(MAX)<70M@-10V,VTH-
IMYH200R024M1HXKSA1
SIC DISCRETE
SIHG150N60E-GE3
E SERIES POWER MOSFET TO-247AC,
