Numărul de produs al producătorului:
NVB25P06T4G
Product Overview
Producător:
onsemi
DiGi Electronics Cod de parte:
NVB25P06T4G-DG
Descriere:
MOSFET P-CH 60V 27.5A D2PAK
Descriere detaliată:
P-Channel 60 V 27.5A (Ta) 120W (Tj) Surface Mount D2PAK
Inventar:
12856955
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
NVB25P06T4G Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
onsemi
Ambalare
-
Serie
-
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
P-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
60 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
27.5A (Ta)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
82mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
50 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±15V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
1680 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
120W (Tj)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Clasă
Automotive
Calificare
AEC-Q101
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
D2PAK
Pachet / Carcasă
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Numărul de bază al produsului
NVB25P
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
NVB25P06T4G-DG
NVB25P06T4GOSDKR
NVB25P06T4GOSCT
NVB25P06T4GOSTR
Pachet standard
800
Clasificare de Mediu și Export
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
NTB25P06T4G
PRODUCĂTOR
onsemi
CANTITATE DISPONIBILĂ
0
DiGi NUMĂR DE PARTE
NTB25P06T4G-DG
PREȚ UNIC
0.92
TIP SUBSTITUT
Parametric Equivalent
NUMĂRUL PARTEI
FQB27P06TM
PRODUCĂTOR
onsemi
CANTITATE DISPONIBILĂ
14
DiGi NUMĂR DE PARTE
FQB27P06TM-DG
PREȚ UNIC
0.81
TIP SUBSTITUT
Similar
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
NVMFS6H836NT1G
MOSFET N-CH 80V 15A/74A 5DFN
NTAT6H406NT4G
MOSFET N-CH 80V 175A ATPAK
NTD30N02T4
MOSFET N-CH 24V 30A DPAK
