Numărul de produs al producătorului:
NTRV4101PT1G
Product Overview
Producător:
onsemi
DiGi Electronics Cod de parte:
NTRV4101PT1G-DG
Descriere:
MOSFET P-CH 20V 1.8A SOT23-3
Descriere detaliată:
P-Channel 20 V 1.8A (Ta) 420mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Inventar:
4020 Piese Noi Originale În Stoc
12842997
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
NTRV4101PT1G Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
onsemi
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Starea produsului
Active
Tip FET
P-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
20 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
1.8A (Ta)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V, 4.5V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
85mOhm @ 1.6A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.2V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
8.5 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±8V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
675 pF @ 10 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
420mW (Ta)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Clasă
Automotive
Calificare
AEC-Q101
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
SOT-23-3 (TO-236)
Pachet / Carcasă
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Numărul de bază al produsului
NTRV4101
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
NTRV4101PT1GOSDKR
ONSONSNTRV4101PT1G
488-NTRV4101PT1GTR
NTRV4101PT1G-DG
NTRV4101PT1GOSTR-DG
488-NTRV4101PT1GCT
488-NTRV4101PT1GDKR
NTRV4101PT1GOSCT-DG
NTRV4101PT1GOSCT
NTRV4101PT1GOSDKR-DG
NTRV4101PT1GOSTR
2156-NTRV4101PT1G-OS
Pachet standard
3,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
NTHL040N65S3HF
MOSFET N-CH 650V 65A TO247-3
AUIRF4905
MOSFET P-CH 55V 74A TO220AB
NTP75N06L
MOSFET N-CH 60V 75A TO220AB
