Numărul de produs al producătorului:
NTP082N65S3F
Product Overview
Producător:
onsemi
DiGi Electronics Cod de parte:
NTP082N65S3F-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 650V 40A TO220-3
Descriere detaliată:
N-Channel 650 V 40A (Tc) 313W (Tc) Through Hole TO-220-3
Inventar:
12860107
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
NTP082N65S3F Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
onsemi
Ambalare
Tube
Serie
FRFET®, SuperFET® II
Starea produsului
Not For New Designs
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
650 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
40A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
82mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 4mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
81 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
3410 pF @ 400 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
313W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-220-3
Pachet / Carcasă
TO-220-3
Numărul de bază al produsului
NTP082
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
NTP082N65S3FOS
NTP082N65S3F-DG
Pachet standard
50
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
Not Applicable
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
IXTP34N65X2
PRODUCĂTOR
IXYS
CANTITATE DISPONIBILĂ
152
DiGi NUMĂR DE PARTE
IXTP34N65X2-DG
PREȚ UNIC
3.26
TIP SUBSTITUT
Similar
NUMĂRUL PARTEI
NVHL082N65S3F
PRODUCĂTOR
onsemi
CANTITATE DISPONIBILĂ
0
DiGi NUMĂR DE PARTE
NVHL082N65S3F-DG
PREȚ UNIC
4.59
TIP SUBSTITUT
Parametric Equivalent
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
NP100P04PLG-E1-AY
MOSFET P-CH 40V 100A TO263
NP60N055VUK-E1-AY
MOSFET N-CH 55V 60A TO252-3
RJK0391DPA-00#J5A
MOSFET N-CH 30V 50A 8WPAK
