Numărul de produs al producătorului:
NTNS3A65PZT5GHW
Product Overview
Producător:
onsemi
DiGi Electronics Cod de parte:
NTNS3A65PZT5GHW-DG
Descriere:
MOSFET P-CH 20V 281MA SOT883
Descriere detaliată:
P-Channel 20 V 281mA (Ta) 155mW (Ta) Surface Mount SOT-883 (XDFN3) (1x0.6)
Inventar:
12972312
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
gO51
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
NTNS3A65PZT5GHW Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
onsemi
Ambalare
-
Serie
-
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
P-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
20 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
281mA (Ta)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
1.5V, 4.5V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
1.3Ohm @ 200mA, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
1.1 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±8V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
44 pF @ 10 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
155mW (Ta)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
SOT-883 (XDFN3) (1x0.6)
Pachet / Carcasă
3-XFDFN
Informații suplimentare
Alte nume
2832-NTNS3A65PZT5GHW
488-NTNS3A65PZT5GHWTR
Pachet standard
3,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
OBSOLETE
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
PJD25N06A-AU_L2_000A1
60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
PJD50P04-AU_L2_000A1
40V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
PJQ5445-AU_R2_000A1
40V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
