Numărul de produs al producătorului:
NTMYS3D3N06CLTWG
Product Overview
Producător:
onsemi
DiGi Electronics Cod de parte:
NTMYS3D3N06CLTWG-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 60V 26A/133A LFPAK4
Descriere detaliată:
N-Channel 60 V 26A (Ta), 133A (Tc) 3.9W (Ta), 100W (Tc) Surface Mount LFPAK4 (5x6)
Inventar:
2015 Piese Noi Originale În Stoc
12844490
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
NTMYS3D3N06CLTWG Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
onsemi
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
60 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
26A (Ta), 133A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
3mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
40.7 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
2880 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
3.9W (Ta), 100W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
LFPAK4 (5x6)
Pachet / Carcasă
SOT-1023, 4-LFPAK
Numărul de bază al produsului
NTMYS3
Informații suplimentare
Alte nume
488-NTMYS3D3N06CLTWGCT
NTMYS3D3N06CLTWG-DG
488-NTMYS3D3N06CLTWGTR
488-NTMYS3D3N06CLTWGDKR
Pachet standard
3,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
AOTF11N60L
MOSFET N-CH 600V 11A TO220-3F
IPA65R280C6XKSA1
MOSFET N-CH 650V 13.8A TO220
NVMFS5C673NLWFT1G
MOSFET N-CH 60V 5DFN
