Numărul de produs al producătorului:
NTMTSC1D6N10MCTXG
Product Overview
Producător:
onsemi
DiGi Electronics Cod de parte:
NTMTSC1D6N10MCTXG-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 100V 35A/267A 8TDFNW
Descriere detaliată:
N-Channel 100 V 35A (Ta), 267A (Tc) 5.1W (Ta), 291W (Tc) Surface Mount, Wettable Flank 8-TDFNW (8.3x8.4)
Inventar:
5966 Piese Noi Originale În Stoc
12947946
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
NTMTSC1D6N10MCTXG Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
onsemi
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
100 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
35A (Ta), 267A (Tc)
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
1.7mOhm @ 90A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 650µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
106 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
7630 pF @ 50 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
5.1W (Ta), 291W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount, Wettable Flank
Pachet dispozitiv furnizor
8-TDFNW (8.3x8.4)
Pachet / Carcasă
8-PowerTDFN
Numărul de bază al produsului
NTMTSC1
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
488-NTMTSC1D6N10MCTXGTR
488-NTMTSC1D6N10MCTXGCT
488-NTMTSC1D6N10MCTXGDKR
Pachet standard
3,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
PMN48XP,125
MOSFET P-CH 20V 4.1A 6TSOP
NVMYS6D2N06CLTWG
MOSFET N-CH 60V 17A/71A 4LFPAK
