Numărul de produs al producătorului:
NTMSD3P102R2
Product Overview
Producător:
onsemi
DiGi Electronics Cod de parte:
NTMSD3P102R2-DG
Descriere:
MOSFET P-CH 20V 2.34A 8SOIC
Descriere detaliată:
P-Channel 20 V 2.34A (Ta) 730mW (Ta) Surface Mount 8-SOIC
Inventar:
12842212
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
NTMSD3P102R2 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
onsemi
Ambalare
-
Serie
FETKY™
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
P-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
20 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
2.34A (Ta)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
85mOhm @ 3.05A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
25 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
750 pF @ 16 V
Caracteristică FET
Schottky Diode (Isolated)
Disiparea puterii (max)
730mW (Ta)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
8-SOIC
Pachet / Carcasă
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Numărul de bază al produsului
NTMSD3
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
2156-NTMSD3P102R2
NTMSD3P102R2OS
ONSONSNTMSD3P102R2
2156-NTMSD3P102R2-ONTR-DG
Pachet standard
2,500
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
RoHS non-compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
DMS2085LSD-13
PRODUCĂTOR
Diodes Incorporated
CANTITATE DISPONIBILĂ
2490
DiGi NUMĂR DE PARTE
DMS2085LSD-13-DG
PREȚ UNIC
0.07
TIP SUBSTITUT
Similar
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
BSC882N03MSGATMA1
MOSFET N-CH 34V 22A/100A TDSON
NTD4906N-35G
MOSFET N-CH 30V 10.3A/54A IPAK
SFT1443-TL-W
MOSFET N-CH 100V 9A DPAK/TP-FA
