Numărul de produs al producătorului:
NTMS4700NR2
Product Overview
Producător:
onsemi
DiGi Electronics Cod de parte:
NTMS4700NR2-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 30V 8.6A 8SOIC
Descriere detaliată:
N-Channel 30 V 8.6A (Ta) 860mW (Ta) Surface Mount 8-SOIC
Inventar:
12847934
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
NTMS4700NR2 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
onsemi
Ambalare
-
Serie
-
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
30 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
8.6A (Ta)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
7.2mOhm @ 13A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
24 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
1600 pF @ 24 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
860mW (Ta)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
8-SOIC
Pachet / Carcasă
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Numărul de bază al produsului
NTMS47
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
NTMS4700NR2OSCT
ONSONSNTMS4700NR2
NTMS4700NR2OSTR
2156-NTMS4700NR2-ONTR
Pachet standard
2,500
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
RoHS non-compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
AON6548
MOSFET N-CH 30V 52A/85A 8DFN
NDT014L
MOSFET N-CH 60V 2.8A SOT223-4
FDPF20N50T
MOSFET N-CH 500V 20A TO220F
