Numărul de produs al producătorului:

NTMKB4895NT1G

Product Overview

Producător:

onsemi

DiGi Electronics Cod de parte:

NTMKB4895NT1G-DG

Descriere:

MOSFET N-CH 30V 15A/66A 4ICEPAK

Descriere detaliată:

N-Channel 30 V 15A (Ta), 66A (Tc) 2.2W (Ta), 42W (Tc) Surface Mount 4-ICEPAK - B1 PAD (4.8x3.8)

Inventar:

RFQ Online

12939000

Cere ofertă

Cantitate
Minim 1

(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore

TRIMITE

NTMKB4895NT1G Specificații tehnice

Categorie

FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri

Producător

onsemi

Ambalare

-

Serie

-

Starea produsului

Obsolete

Tip FET

N-Channel

Tehnologie

MOSFET (Metal Oxide)

Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)

30 V

Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C

15A (Ta), 66A (Tc)

Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds Activat (Max) @ Id, Vgs

6mOhm @ 15A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2.4V @ 250µA

Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs

25 nC @ 10 V

Vgs (Max)

±20V

Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds

1644 pF @ 15 V

Caracteristică FET

-

Disiparea puterii (max)

2.2W (Ta), 42W (Tc)

Temperatura

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tip de montare

Surface Mount

Pachet dispozitiv furnizor

4-ICEPAK - B1 PAD (4.8x3.8)

Pachet / Carcasă

4-ICEPAK

Numărul de bază al produsului

NTMKB4

Fișa de date și documente

Fișa de date HTML

NTMKB4895NT1G-DG

Fișe tehnice

Informații suplimentare

Pachet standard

1,500

Clasificare de Mediu și Export

Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)

1 (Unlimited)

Starea REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Certificare DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Produse Asemănătoare

onsemi

NVB190N65S3F

MOSFET N-CH 650V 20A D2PAK-3

onsemi

NVGS5120PT1G

MOSFET P-CH 60V 1.8A 6TSOP

renesas-electronics-america

NP15P04SLG-E1-AY

MOSFET P-CH 40V 15A TO252

renesas-electronics-america

NP82N03PUG-E1-AY

MOSFET N-CH 30V 82A TO263