Acasă
Produse
Producători
Despre DiGi
Contactați-ne
Bloguri & Postări
Cerere de ofertă
Romania
Conectare
Limbaj selectiv
Limba curentă a alegerii tale:
Romania
Comutare:
Engleză
Europa
Marea Britanie
Franţa
Spania
Turcia
Moldova
Lituania
Norvegia
Germania
Portugalia
Slovacia
ltală
Finlanda
Rusă
Bulgaria
Danemarca
Estonia
Polonia
Ucraina
Slovenia
Cehă
Greacă
Croaţia
Israel
Serbia
Bielorusia
Olanda
Suedia
Muntenegru
Bască
Islanda
Bosnia
Maghiară
România
Austria
Belgia
Irlanda
Asia / Pacific
China
Vietnam
Indonezia
Thailanda
Laos
Filipino
Malaysia
Coreea
Japonia
Hongkong
Taiwan
Singapore
Pakistan
Arabia Saudită
Qatar
Kuweit
Cambodgia
Myanmar
Africa, India și Orientul Mijlociu
Emiratele Arabe Unite
Tadjikistan
Madagascar
India
Iran
RD Congo
Africa de Sud
Egipt
Kenya
Tanzania
Ghana
Senegal
Maroc
Tunisia
America de Sud / Oceania
Noua Zeelandă
Angola
Brazilia
Mozambic
Peru
Columbia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentina
Paraguay
Australia
America de Nord
Statele Unite
Haiti
Canada
Costa Rica
Mexic
Despre DiGi
Despre noi
Despre noi
Certificările noastre
DiGi Introducere
De ce DiGi
Politică
Politica de Calitate
Termeni și condiții
Conformitate RoHS
Proces de returnare
Resurse
Categorii de produse
Producători
Bloguri & Postări
Servicii
Garanție de calitate
Modalitate de plată
Expediere globală
Tarife de transport
Întrebări frecvente
Numărul de produs al producătorului:
NTMFS5113PLT1G
Product Overview
Producător:
onsemi
DiGi Electronics Cod de parte:
NTMFS5113PLT1G-DG
Descriere:
NFET SO8FL 60V 69A 16MOHM
Descriere detaliată:
P-Channel 60 V 10A (Ta), 64A (Tc) 3.8W (Ta), 150W (Tc) Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Inventar:
RFQ Online
12856981
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
*
Companie
*
Nume de contact
*
Telefon
*
E-mail
Adresă de livrare
Mesaj
(
*
) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
NTMFS5113PLT1G Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
onsemi
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Starea produsului
Active
Tip FET
P-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
60 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
10A (Ta), 64A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
14mOhm @ 17A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
83 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
4400 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
3.8W (Ta), 150W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Clasă
-
Calificare
-
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Pachet / Carcasă
8-PowerTDFN, 5 Leads
Numărul de bază al produsului
NTMFS5113
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
NTMFS5113PLT1G-DG
Fișe tehnice
NTMFS5113PLT1G
Informații suplimentare
Alte nume
488-NTMFS5113PLT1GTR
488-NTMFS5113PLT1GCT
488-NTMFS5113PLT1GDKR
NTMFS5113PLT1G-DG
Pachet standard
1,500
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
RS1L151ATTB1
PRODUCĂTOR
Rohm Semiconductor
CANTITATE DISPONIBILĂ
10780
DiGi NUMĂR DE PARTE
RS1L151ATTB1-DG
PREȚ UNIC
1.20
TIP SUBSTITUT
Similar
NUMĂRUL PARTEI
NVMFS5113PLT1G
PRODUCĂTOR
onsemi
CANTITATE DISPONIBILĂ
8321
DiGi NUMĂR DE PARTE
NVMFS5113PLT1G-DG
PREȚ UNIC
1.11
TIP SUBSTITUT
Parametric Equivalent
NUMĂRUL PARTEI
NVMFS5113PLWFT1G
PRODUCĂTOR
onsemi
CANTITATE DISPONIBILĂ
880
DiGi NUMĂR DE PARTE
NVMFS5113PLWFT1G-DG
PREȚ UNIC
1.18
TIP SUBSTITUT
Parametric Equivalent
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
RJK0855DPB-00#J5
MOSFET N-CH 80V 30A LFPAK
RFD3055
MOSFET N-CH 60V 12A IPAK
SI4410DY
MOSFET N-CH 30V 10A 8SO
NTD5805NT4G
MOSFET N-CH 40V 51A DPAK