Numărul de produs al producătorului:
NTMD5836NLR2G
Product Overview
Producător:
onsemi
DiGi Electronics Cod de parte:
NTMD5836NLR2G-DG
Descriere:
MOSFET 2N-CH 40V 9A/5.7A 8SOIC
Descriere detaliată:
Mosfet Array 40V 9A, 5.7A 1.5W Surface Mount 8-SOIC
Inventar:
12844987
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
NTMD5836NLR2G Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET, MOSFET Array-uri
Producător
onsemi
Ambalare
-
Serie
-
Starea produsului
Obsolete
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Configurație
2 N-Channel (Dual)
Caracteristică FET
Logic Level Gate
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
40V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
9A, 5.7A
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
12mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
50nC @ 10V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
2120pF @ 20V
Putere - Max
1.5W
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet / Carcasă
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pachet dispozitiv furnizor
8-SOIC
Numărul de bază al produsului
NTMD58
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
2156-NTMD5836NLR2G-ONTR-DG
2156-NTMD5836NLR2G
ONSONSNTMD5836NLR2G
NTMD5836NLR2GOSCT
NTMD5836NLR2G-DG
NTMD5836NLR2GOSTR
NTMD5836NLR2GOSDKR
Pachet standard
2,500
Clasificare de Mediu și Export
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
AON6918
MOSFET 2N-CH 25V 15A/26.5A 8DFN
BSD223P
MOSFET 2P-CH 20V 0.39A SOT363
AON5820_101
MOSFET 2N-CH 20V 10A 6DFN
