Numărul de produs al producătorului:
NTMD2P01R2
Product Overview
Producător:
onsemi
DiGi Electronics Cod de parte:
NTMD2P01R2-DG
Descriere:
MOSFET 2P-CH 16V 2.3A 8SOIC
Descriere detaliată:
Mosfet Array 16V 2.3A 710mW Surface Mount 8-SOIC
Inventar:
12859327
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
NTMD2P01R2 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET, MOSFET Array-uri
Producător
onsemi
Ambalare
-
Serie
-
Starea produsului
Obsolete
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Configurație
2 P-Channel (Dual)
Caracteristică FET
Logic Level Gate
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
16V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
2.3A
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
100mOhm @ 2.4A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.5V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
18nC @ 4.5V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
750pF @ 16V
Putere - Max
710mW
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet / Carcasă
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pachet dispozitiv furnizor
8-SOIC
Numărul de bază al produsului
NTMD2P
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
NTMD2P01R2OS
Pachet standard
2,500
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
RoHS non-compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
NTZD3154NT1H
MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT563
NVMFD5489NLT3G
MOSFET 2N-CH 60V 4.5A 8DFN
NTZD3158PT1G
MOSFET 2P-CH 20V 430MA SOT563
