Numărul de produs al producătorului:
NTJS3151PT1G
Product Overview
Producător:
onsemi
DiGi Electronics Cod de parte:
NTJS3151PT1G-DG
Descriere:
MOSFET P-CH 12V 2.7A SC88/SC70-6
Descriere detaliată:
P-Channel 12 V 2.7A (Ta) 625mW (Ta) Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363
Inventar:
10336 Piese Noi Originale În Stoc
12842567
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
NTJS3151PT1G Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
onsemi
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Starea produsului
Active
Tip FET
P-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
12 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
2.7A (Ta)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V, 4.5V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
60mOhm @ 3.3A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.2V @ 100µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
8.6 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±12V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
850 pF @ 12 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
625mW (Ta)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
SC-88/SC70-6/SOT-363
Pachet / Carcasă
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Numărul de bază al produsului
NTJS3151
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
NTJS3151PT1GOSDKR
NTJS3151PT1GOSTR
2156-NTJS3151PT1G-488
NTJS3151PT1GOSCT
Pachet standard
3,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
NVMFS5C646NLWFAFT3G
MOSFET N-CH 60V 20A/93A 5DFN
NTMTS0D7N06CTXG
MOSFET N-CH 60V 60.5A/464A 8DFNW
NTHS5404T1G
MOSFET N-CH 20V 5.2A CHIPFET