Numărul de produs al producătorului:
NTJD4105CT2G
Product Overview
Producător:
onsemi
DiGi Electronics Cod de parte:
NTJD4105CT2G-DG
Descriere:
MOSFET N/P-CH 20V/8V 0.63A SC88
Descriere detaliată:
Mosfet Array 20V, 8V 630mA, 775mA 270mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363
Inventar:
5990 Piese Noi Originale În Stoc
12847941
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
NTJD4105CT2G Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET, MOSFET Array-uri
Producător
onsemi
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Starea produsului
Active
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Configurație
N and P-Channel
Caracteristică FET
Logic Level Gate
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
20V, 8V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
630mA, 775mA
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
375mOhm @ 630mA, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.5V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
3nC @ 4.5V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
46pF @ 20V
Putere - Max
270mW
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet / Carcasă
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Pachet dispozitiv furnizor
SC-88/SC70-6/SOT-363
Numărul de bază al produsului
NTJD4105
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
ONSONSNTJD4105CT2G
2156-NTJD4105CT2G-OS
NTJD4105CT2GOSTR
2832-NTJD4105CT2G
NTJD4105CT2G-DG
NTJD4105CT2GOSDKR
NTJD4105CT2GOSCT
Pachet standard
3,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
FDMS7606
MOSFET 2N-CH 30V 11.5A/12A PWR56
AO8801L
MOSFET 2P-CH 20V 4.7A 8TSSOP
FW274-TL-E
MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOP
