NTJD2152PT2G

Numărul de produs al producătorului:

NTJD2152PT2G

Product Overview

Producător:

onsemi

DiGi Electronics Cod de parte:

NTJD2152PT2G-DG

Descriere:

MOSFET 2P-CH 8V 0.775A SC88

Descriere detaliată:

Mosfet Array 8V 775mA 270mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363

Inventar:

RFQ Online

12848610

Cere ofertă

Cantitate
Minim 1

(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore

TRIMITE

NTJD2152PT2G Specificații tehnice

Categorie

FET-uri, MOSFET-uri, FET, MOSFET Array-uri

Producător

onsemi

Ambalare

-

Serie

-

Starea produsului

Obsolete

Tehnologie

MOSFET (Metal Oxide)

Configurație

2 P-Channel (Dual)

Caracteristică FET

Logic Level Gate

Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)

8V

Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C

775mA

Rds Activat (Max) @ Id, Vgs

300mOhm @ 570mA, 4.5V

Vgs(th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs

4nC @ 4.5V

Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds

225pF @ 8V

Putere - Max

270mW

Temperatura

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tip de montare

Surface Mount

Pachet / Carcasă

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Pachet dispozitiv furnizor

SC-88/SC70-6/SOT-363

Numărul de bază al produsului

NTJD21

Fișa de date și documente

Fișa de date HTML

NTJD2152PT2G-DG

Fișe tehnice

Informații suplimentare

Alte nume

2156-NTJD2152PT2G-ONTR-DG

ONSONSNTJD2152PT2G

2156-NTJD2152PT2G

Pachet standard

3,000

Clasificare de Mediu și Export

Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)

1 (Unlimited)

Starea REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.21.0095

Certificare DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Produse Asemănătoare

onsemi

FDM2509NZ

MOSFET 2N-CH 20V 8.7A MICRO2X2

alpha-and-omega-semiconductor

AON2801

MOSFET 2P-CH 20V 3A 6DFN

onsemi

FDMB2307NZ

MOSFET 2N-CH 6MLP

alpha-and-omega-semiconductor

AON5810

MOSFET 2N-CH 20V 7.7A 6DFN