Numărul de produs al producătorului:
NTH4L040N120SC1
Product Overview
Producător:
onsemi
DiGi Electronics Cod de parte:
NTH4L040N120SC1-DG
Descriere:
SICFET N-CH 1200V 58A TO247-4
Descriere detaliată:
N-Channel 1200 V 58A (Tc) 319W (Tc) Through Hole TO-247-4L
Inventar:
234 Piese Noi Originale În Stoc
12938497
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
NTH4L040N120SC1 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
onsemi
Ambalare
Tube
Serie
-
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
SiCFET (Silicon Carbide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
1200 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
58A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
20V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
56mOhm @ 35A, 20V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.3V @ 10mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
106 nC @ 20 V
Vgs (Max)
+25V, -15V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
1762 pF @ 800 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
319W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-247-4L
Pachet / Carcasă
TO-247-4
Numărul de bază al produsului
NTH4L040
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
488-NTH4L040N120SC1
2156-NTH4L040N120SC1
Pachet standard
30
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
Not Applicable
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
NTMFS0D8N02P1ET1G
MOSFET N-CH 25V 55A/365A 5DFN
IRFC120NB
MOSFET 100V 9.4A DIE
PMPB85ENEA115
N-CHANNEL POWER MOSFET
