NTE4153NT1G

Numărul de produs al producătorului:

NTE4153NT1G

Product Overview

Producător:

onsemi

DiGi Electronics Cod de parte:

NTE4153NT1G-DG

Descriere:

MOSFET N-CH 20V 915MA SC89-3

Descriere detaliată:

N-Channel 20 V 915mA (Ta) 300mW (Tj) Surface Mount SC-89-3

Inventar:

144619 Piese Noi Originale În Stoc

12856815

Cere ofertă

Cantitate
Minim 1

(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore

TRIMITE

NTE4153NT1G Specificații tehnice

Categorie

FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri

Producător

onsemi

Ambalare

Tape & Reel (TR)

Serie

-

Starea produsului

Active

Tip FET

N-Channel

Tehnologie

MOSFET (Metal Oxide)

Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)

20 V

Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C

915mA (Ta)

Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)

1.5V, 4.5V

Rds Activat (Max) @ Id, Vgs

230mOhm @ 600mA, 4.5V

Vgs(th) (Max) @ Id

1.1V @ 250µA

Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs

1.82 nC @ 4.5 V

Vgs (Max)

±6V

Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds

110 pF @ 16 V

Caracteristică FET

-

Disiparea puterii (max)

300mW (Tj)

Temperatura

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tip de montare

Surface Mount

Pachet dispozitiv furnizor

SC-89-3

Pachet / Carcasă

SC-89, SOT-490

Numărul de bază al produsului

NTE4153

Fișa de date și documente

Fișa de date HTML

Fișe tehnice

Informații suplimentare

Alte nume

NTE4153NT1GOSDKR

NTE4153NT1GOSTR

NTE4153NT1GOSCT

Pachet standard

3,000

Clasificare de Mediu și Export

Starea RoHS

ROHS3 Compliant

Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)

1 (Unlimited)

Starea REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.21.0095

Certificare DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Produse Asemănătoare

onsemi

NTLGF3402PT2G

MOSFET P-CH 20V 2.3A 6DFN

onsemi

NTMFS5834NLT1G

MOSFET N-CH 40V 14A/75A 5DFN

onsemi

SSU1N50BTU

MOSFET N-CH 520V 1.3A IPAK

onsemi

NTD20N06L-001

MOSFET N-CH 60V 20A IPAK