Numărul de produs al producătorului:
NTD65N03R-1G
Product Overview
Producător:
onsemi
DiGi Electronics Cod de parte:
NTD65N03R-1G-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 25V 9.5A/32A IPAK
Descriere detaliată:
N-Channel 25 V 9.5A (Ta), 32A (Tc) 1.3W (Ta), 50W (Tc) Through Hole I-PAK
Inventar:
12841881
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
NTD65N03R-1G Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
onsemi
Ambalare
-
Serie
-
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
25 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
9.5A (Ta), 32A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
8.4mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
16 nC @ 5 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
1400 pF @ 20 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
1.3W (Ta), 50W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
I-PAK
Pachet / Carcasă
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Numărul de bază al produsului
NTD65
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
ONSONSNTD65N03R-1G
2156-NTD65N03R-1G-ON
=NTD65N03R
Pachet standard
75
Clasificare de Mediu și Export
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
NTB18N06
MOSFET N-CH 60V 15A D2PAK
NTHL110N65S3F
MOSFET N-CH 650V 30A TO247-3
NTMD4884NFR2G
MOSFET N-CH 30V 3.3A 8SOIC
