Numărul de produs al producătorului:
NTD600N80S3Z
Product Overview
Producător:
onsemi
DiGi Electronics Cod de parte:
NTD600N80S3Z-DG
Descriere:
MOSFET POWER, N-CHANNEL, SUPERFE
Descriere detaliată:
N-Channel 800 V 8A (Tj) 60W (Tc) Surface Mount TO-252 (DPAK)
Inventar:
2553 Piese Noi Originale În Stoc
12967146
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
NTD600N80S3Z Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
onsemi
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
SuperFET® III
Starea produsului
Not For New Designs
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
800 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
8A (Tj)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
600mOhm @ 4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.8V @ 180µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
15.5 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
725 pF @ 400 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
60W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
TO-252 (DPAK)
Pachet / Carcasă
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
488-NTD600N80S3ZDKR
488-NTD600N80S3ZTR
488-NTD600N80S3ZCT
Pachet standard
2,500
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
IPD80R280P7ATMA1
PRODUCĂTOR
Infineon Technologies
CANTITATE DISPONIBILĂ
10179
DiGi NUMĂR DE PARTE
IPD80R280P7ATMA1-DG
PREȚ UNIC
1.23
TIP SUBSTITUT
Similar
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
SIHB17N80E-T1-GE3
MOSFET N-CH 800V 15A D2PAK
RRS075P03Z00TB1
MOSFET P-CH 30V 7.5A 8SOP
AO6401
MOSFET P-CH 30V 5A 6TSOP
