NTD4960N-1G

Numărul de produs al producătorului:

NTD4960N-1G

Product Overview

Producător:

onsemi

DiGi Electronics Cod de parte:

NTD4960N-1G-DG

Descriere:

MOSFET N-CH 30V 8.9A/55A IPAK

Descriere detaliată:

N-Channel 30 V 8.9A (Ta), 55A (Tc) 1.07W (Ta), 35.71W (Tc) Through Hole IPAK

Inventar:

RFQ Online

12841709

Cere ofertă

Cantitate
Minim 1

(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore

TRIMITE

NTD4960N-1G Specificații tehnice

Categorie

FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri

Producător

onsemi

Ambalare

-

Serie

-

Starea produsului

Obsolete

Tip FET

N-Channel

Tehnologie

MOSFET (Metal Oxide)

Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)

30 V

Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C

8.9A (Ta), 55A (Tc)

Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds Activat (Max) @ Id, Vgs

8mOhm @ 30A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs

22 nC @ 10 V

Vgs (Max)

±20V

Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds

1300 pF @ 15 V

Caracteristică FET

-

Disiparea puterii (max)

1.07W (Ta), 35.71W (Tc)

Temperatura

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tip de montare

Through Hole

Pachet dispozitiv furnizor

IPAK

Pachet / Carcasă

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

Numărul de bază al produsului

NTD49

Fișa de date și documente

Fișa de date HTML

Fișe tehnice

Informații suplimentare

Alte nume

NTD4960N-1GOS

Pachet standard

75

Clasificare de Mediu și Export

Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)

1 (Unlimited)

Starea REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Certificare DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Produse Asemănătoare

onsemi

NTMFS4108NT3G

MOSFET N-CH 30V 13.5A 5DFN

onsemi

NVMFS5833NT1G

MOSFET N-CH 40V 16A 5DFN

onsemi

NTLUS3A18PZTAG

MOSFET P-CH 20V 5.1A 6UDFN

onsemi

NTB6448ANT4G

MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK