NTD4809NA-1G
Numărul de produs al producătorului:

NTD4809NA-1G

Product Overview

Producător:

onsemi

DiGi Electronics Cod de parte:

NTD4809NA-1G-DG

Descriere:

MOSFET N-CH 30V 9.6A/58A IPAK
Descriere detaliată:
N-Channel 30 V 9.6A (Ta), 58A (Tc) 1.3W (Ta), 52W (Tc) Through Hole I-PAK

Inventar:

12858613
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE

NTD4809NA-1G Specificații tehnice

Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
onsemi
Ambalare
-
Serie
-
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
30 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
9.6A (Ta), 58A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 11.5V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
9mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
13 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
1456 pF @ 12 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
1.3W (Ta), 52W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
I-PAK
Pachet / Carcasă
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Numărul de bază al produsului
NTD48

Fișa de date și documente

Fișa de date HTML
Fișe tehnice

Informații suplimentare

Alte nume
ONSONSNTD4809NA-1G
2156-NTD4809NA-1G-ON
Pachet standard
75

Clasificare de Mediu și Export

Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
onsemi

NDF06N60ZG

MOSFET N-CH 600V 7.1A TO220FP

onsemi

NTR4171PT3G

MOSFET P-CH 30V 2.2A SOT23-3

onsemi

NVD5C454NT4G

MOSFET N-CH 40V 19A/82A DPAK

onsemi

NVD5C478NLT4G

MOSFET N-CH 40V 14A/45A DPAK