NTD4809NA-1G

Numărul de produs al producătorului:

NTD4809NA-1G

Product Overview

Producător:

onsemi

DiGi Electronics Cod de parte:

NTD4809NA-1G-DG

Descriere:

MOSFET N-CH 30V 9.6A/58A IPAK

Descriere detaliată:

N-Channel 30 V 9.6A (Ta), 58A (Tc) 1.3W (Ta), 52W (Tc) Through Hole I-PAK

Inventar:

RFQ Online

12858613

Cere ofertă

Cantitate
Minim 1

(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore

TRIMITE

NTD4809NA-1G Specificații tehnice

Categorie

FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri

Producător

onsemi

Ambalare

-

Serie

-

Starea produsului

Obsolete

Tip FET

N-Channel

Tehnologie

MOSFET (Metal Oxide)

Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)

30 V

Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C

9.6A (Ta), 58A (Tc)

Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 11.5V

Rds Activat (Max) @ Id, Vgs

9mOhm @ 30A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs

13 nC @ 4.5 V

Vgs (Max)

±20V

Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds

1456 pF @ 12 V

Caracteristică FET

-

Disiparea puterii (max)

1.3W (Ta), 52W (Tc)

Temperatura

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tip de montare

Through Hole

Pachet dispozitiv furnizor

I-PAK

Pachet / Carcasă

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

Numărul de bază al produsului

NTD48

Fișa de date și documente

Fișa de date HTML

NTD4809NA-1G-DG

Fișe tehnice

Informații suplimentare

Alte nume

ONSONSNTD4809NA-1G

2156-NTD4809NA-1G-ON

Pachet standard

75

Clasificare de Mediu și Export

Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)

1 (Unlimited)

Starea REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Certificare DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Produse Asemănătoare

onsemi

NDF06N60ZG

MOSFET N-CH 600V 7.1A TO220FP

onsemi

NTR4171PT3G

MOSFET P-CH 30V 2.2A SOT23-3

onsemi

NVD5C454NT4G

MOSFET N-CH 40V 19A/82A DPAK

onsemi

NVD5C478NLT4G

MOSFET N-CH 40V 14A/45A DPAK