Numărul de produs al producătorului:
NTD4302-1G
Product Overview
Producător:
onsemi
DiGi Electronics Cod de parte:
NTD4302-1G-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 30V 8.4A/68A IPAK
Descriere detaliată:
N-Channel 30 V 8.4A (Ta), 68A (Tc) 1.04W (Ta), 75W (Tc) Through Hole I-PAK
Inventar:
12842620
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
NTD4302-1G Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
onsemi
Ambalare
-
Serie
-
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
30 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
8.4A (Ta), 68A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
10mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
80 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
2400 pF @ 24 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
1.04W (Ta), 75W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
I-PAK
Pachet / Carcasă
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Numărul de bază al produsului
NTD43
Fișa de date și documente
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
2156-NTD4302-1G-ON
ONSONSNTD4302-1G
Pachet standard
75
Clasificare de Mediu și Export
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
STD5407NNT4G
MOSFET N-CH 40V DPAK-3
2SK066400L
MOSFET N-CH 50V 100MA SMINI3-G1
NVD5862NT4G
MOSFET N-CH 60V 18A/98A DPAK
