NTD3813N-1G

Numărul de produs al producătorului:

NTD3813N-1G

Product Overview

Producător:

onsemi

DiGi Electronics Cod de parte:

NTD3813N-1G-DG

Descriere:

MOSFET N-CH 16V 9.6A/51A IPAK

Descriere detaliată:

N-Channel 16 V 9.6A (Ta), 51A (Tc) 1.2W (Ta), 34.9W (Tc) Through Hole IPAK

Inventar:

RFQ Online

12858978

Cere ofertă

Cantitate
Minim 1

(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore

TRIMITE

NTD3813N-1G Specificații tehnice

Categorie

FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri

Producător

onsemi

Ambalare

-

Serie

-

Starea produsului

Obsolete

Tip FET

N-Channel

Tehnologie

MOSFET (Metal Oxide)

Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)

16 V

Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C

9.6A (Ta), 51A (Tc)

Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds Activat (Max) @ Id, Vgs

8.75mOhm @ 15A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs

12.8 nC @ 4.5 V

Vgs (Max)

±16V

Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds

963 pF @ 12 V

Caracteristică FET

-

Disiparea puterii (max)

1.2W (Ta), 34.9W (Tc)

Temperatura

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tip de montare

Through Hole

Pachet dispozitiv furnizor

IPAK

Pachet / Carcasă

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

Numărul de bază al produsului

NTD38

Fișa de date și documente

Fișa de date HTML

Fișe tehnice

Informații suplimentare

Alte nume

2156-NTD3813N-1G-ON

ONSONSNTD3813N-1G

Pachet standard

75

Clasificare de Mediu și Export

Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)

1 (Unlimited)

Starea REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Certificare DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Produse Asemănătoare

onsemi

NTD18N06L-001

MOSFET N-CH 60V 18A IPAK

vishay-siliconix

IRF840

MOSFET N-CH 500V 8A TO220AB

infineon-technologies

IPP076N15N5AKSA1

MOSFET N-CH 150V 112A TO220-3

onsemi

NTD6600N

MOSFET N-CH 100V 12A DPAK