Acasă
Produse
Producători
Despre DiGi
Contactați-ne
Bloguri & Postări
Cerere de ofertă
Romania
Conectare
Limbaj selectiv
Limba curentă a alegerii tale:
Romania
Comutare:
Engleză
Europa
Marea Britanie
RD Congo
Argentina
Turcia
România
Lituania
Norvegia
Austria
Angola
Slovacia
ltală
Finlanda
Bielorusia
Bulgaria
Danemarca
Estonia
Polonia
Ucraina
Slovenia
Cehă
Greacă
Croaţia
Israel
Muntenegru
Rusă
Belgia
Suedia
Serbia
Bască
Islanda
Bosnia
Maghiară
Moldova
Germania
Olanda
Irlanda
Asia / Pacific
China
Vietnam
Indonezia
Thailanda
Laos
Filipino
Malaysia
Coreea
Japonia
Hongkong
Taiwan
Singapore
Pakistan
Arabia Saudită
Qatar
Kuweit
Cambodgia
Myanmar
Africa, India și Orientul Mijlociu
Emiratele Arabe Unite
Tadjikistan
Madagascar
India
Iran
Franţa
Africa de Sud
Egipt
Kenya
Tanzania
Ghana
Senegal
Maroc
Tunisia
America de Sud / Oceania
Noua Zeelandă
Portugalia
Brazilia
Mozambic
Peru
Columbia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Spania
Paraguay
Australia
America de Nord
Statele Unite
Haiti
Canada
Costa Rica
Mexic
Despre DiGi
Despre noi
Despre noi
Certificările noastre
DiGi Introducere
De ce DiGi
Politică
Politica de Calitate
Termeni și condiții
Conformitate RoHS
Proces de returnare
Resurse
Categorii de produse
Producători
Bloguri & Postări
Servicii
Garanție de calitate
Modalitate de plată
Expediere globală
Tarife de transport
Întrebări frecvente
Numărul de produs al producătorului:
NSVBC114EDXV6T1G
Product Overview
Producător:
onsemi
DiGi Electronics Cod de parte:
NSVBC114EDXV6T1G-DG
Descriere:
TRANS 2NPN BIAS BIPOLAR SOT563
Descriere detaliată:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 500mW Surface Mount SOT-563
Inventar:
3496 Piese Noi Originale În Stoc
12938890
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
*
Companie
*
Nume de contact
*
Telefon
*
E-mail
Adresă de livrare
Mesaj
(
*
) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
NSVBC114EDXV6T1G Specificații tehnice
Categorie
Bipolar (BJT), Arhive de Tranzistori Bipolari, Pre-Biasate
Producător
onsemi
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Starea produsului
Active
Tip tranzistor
2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Curent - Colector (Ic) (Max)
100mA
Tensiune - Defalcarea emițătorului colector (Max)
50V
Rezistor - Bază (R1)
10kOhms
Rezistor - Baza emițătorului (R2)
10kOhms
Câștig de curent continuu (hFE) (min) @ Ic, Vce
35 @ 5mA, 10V
Saturație Vce (Max) @ Ib, Ic
250mV @ 300µA, 10mA
Curent - Întrerupere colector (Max)
500nA
Frecvență - Tranziție
-
Putere - Max
500mW
Tip de montare
Surface Mount
Pachet / Carcasă
SOT-563, SOT-666
Pachet dispozitiv furnizor
SOT-563
Numărul de bază al produsului
NSVBC114
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
NSVBC114EDXV6T1G-DG
Fișe tehnice
NSVBC114EDXV6T1G
Informații suplimentare
Alte nume
488-NSVBC114EDXV6T1GTR
488-NSVBC114EDXV6T1GCT
NSVBC114EDXV6T1G-DG
488-NSVBC114EDXV6T1GDKR
Pachet standard
4,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
PEMD3,115
PRODUCĂTOR
Nexperia USA Inc.
CANTITATE DISPONIBILĂ
4000
DiGi NUMĂR DE PARTE
PEMD3,115-DG
PREȚ UNIC
0.07
TIP SUBSTITUT
Similar
NUMĂRUL PARTEI
RN4982FE,LF(CT
PRODUCĂTOR
Toshiba Semiconductor and Storage
CANTITATE DISPONIBILĂ
3035
DiGi NUMĂR DE PARTE
RN4982FE,LF(CT-DG
PREȚ UNIC
0.02
TIP SUBSTITUT
Similar
NUMĂRUL PARTEI
RN1902FE,LF(CT
PRODUCĂTOR
Toshiba Semiconductor and Storage
CANTITATE DISPONIBILĂ
22
DiGi NUMĂR DE PARTE
RN1902FE,LF(CT-DG
PREȚ UNIC
0.02
TIP SUBSTITUT
Similar
NUMĂRUL PARTEI
PEMH11,115
PRODUCĂTOR
Nexperia USA Inc.
CANTITATE DISPONIBILĂ
7980
DiGi NUMĂR DE PARTE
PEMH11,115-DG
PREȚ UNIC
0.07
TIP SUBSTITUT
Similar
NUMĂRUL PARTEI
EMH11T2R
PRODUCĂTOR
Rohm Semiconductor
CANTITATE DISPONIBILĂ
27909
DiGi NUMĂR DE PARTE
EMH11T2R-DG
PREȚ UNIC
0.08
TIP SUBSTITUT
Similar
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
NSVMUN5212DW1T1G
TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
NSVBC124EDXV6T1G
TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT563
DMG9640N0R
TRANS PREBIAS NPN/PNP SSMINI6
NSBC114YPDXV6T1G
TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT563