Acasă
Produse
Producători
Despre DiGi
Contactați-ne
Bloguri & Postări
Cerere de ofertă
Romania
Conectare
Limbaj selectiv
Limba curentă a alegerii tale:
Romania
Comutare:
Engleză
Europa
Marea Britanie
RD Congo
Argentina
Turcia
România
Lituania
Norvegia
Austria
Angola
Slovacia
ltală
Finlanda
Bielorusia
Bulgaria
Danemarca
Estonia
Polonia
Ucraina
Slovenia
Cehă
Greacă
Croaţia
Israel
Muntenegru
Rusă
Belgia
Suedia
Serbia
Bască
Islanda
Bosnia
Maghiară
Moldova
Germania
Olanda
Irlanda
Asia / Pacific
China
Vietnam
Indonezia
Thailanda
Laos
Filipino
Malaysia
Coreea
Japonia
Hongkong
Taiwan
Singapore
Pakistan
Arabia Saudită
Qatar
Kuweit
Cambodgia
Myanmar
Africa, India și Orientul Mijlociu
Emiratele Arabe Unite
Tadjikistan
Madagascar
India
Iran
Franţa
Africa de Sud
Egipt
Kenya
Tanzania
Ghana
Senegal
Maroc
Tunisia
America de Sud / Oceania
Noua Zeelandă
Portugalia
Brazilia
Mozambic
Peru
Columbia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Spania
Paraguay
Australia
America de Nord
Statele Unite
Haiti
Canada
Costa Rica
Mexic
Despre DiGi
Despre noi
Despre noi
Certificările noastre
DiGi Introducere
De ce DiGi
Politică
Politica de Calitate
Termeni și condiții
Conformitate RoHS
Proces de returnare
Resurse
Categorii de produse
Producători
Bloguri & Postări
Servicii
Garanție de calitate
Modalitate de plată
Expediere globală
Tarife de transport
Întrebări frecvente
Numărul de produs al producătorului:
NSBC124EF3T5G
Product Overview
Producător:
onsemi
DiGi Electronics Cod de parte:
NSBC124EF3T5G-DG
Descriere:
TRANS PREBIAS NPN 50V SOT1123
Descriere detaliată:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 254 mW Surface Mount SOT-1123
Inventar:
4316 Piese Noi Originale În Stoc
12858481
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
*
Companie
*
Nume de contact
*
Telefon
*
E-mail
Adresă de livrare
Mesaj
(
*
) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
NSBC124EF3T5G Specificații tehnice
Categorie
Bipolar (BJT), Transistoare bipolare pre-biasate simple
Producător
onsemi
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Starea produsului
Active
Tip tranzistor
NPN - Pre-Biased
Curent - Colector (Ic) (Max)
100 mA
Tensiune - Defalcarea emițătorului colector (Max)
50 V
Rezistor - Bază (R1)
22 kOhms
Rezistor - Baza emițătorului (R2)
22 kOhms
Câștig de curent continuu (hFE) (min) @ Ic, Vce
60 @ 5mA, 10V
Saturație Vce (Max) @ Ib, Ic
250mV @ 300µA, 10mA
Curent - Întrerupere colector (Max)
500nA
Putere - Max
254 mW
Tip de montare
Surface Mount
Pachet / Carcasă
SOT-1123
Pachet dispozitiv furnizor
SOT-1123
Numărul de bază al produsului
NSBC124
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
NSBC124EF3T5G-DG
Fișe tehnice
NSBC124EF3T5G
Informații suplimentare
Alte nume
NSBC124EF3T5GCT
2832-NSBC124EF3T5GTR
NSBC124EF3T5GDKR
2156-NSBC124EF3T5G-OS
NSBC124EF3T5G-DG
ONSONSNSBC124EF3T5G
NSBC124EF3T5GTR
Pachet standard
8,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
RN1103MFV,L3F
PRODUCĂTOR
Toshiba Semiconductor and Storage
CANTITATE DISPONIBILĂ
254
DiGi NUMĂR DE PARTE
RN1103MFV,L3F-DG
PREȚ UNIC
0.06
TIP SUBSTITUT
Similar
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
UNR9216G0L
TRANS PREBIAS NPN 50V SSMINI3
NSVDTA123JM3T5G
TRANS PREBIAS PNP 50V SOT723
UNR421800A
TRANS PREBIAS NPN 50V NS-B1
UNR421900A
TRANS PREBIAS NPN 50V NS-B1