Numărul de produs al producătorului:
NJVMJD112G
Product Overview
Producător:
onsemi
DiGi Electronics Cod de parte:
NJVMJD112G-DG
Descriere:
TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK
Descriere detaliată:
Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 100 V 2 A 25MHz 1.75 W Surface Mount DPAK
Inventar:
12840543
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
ADXP
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
NJVMJD112G Specificații tehnice
Categorie
Bipolar (BJT), Transistori bipolari unici
Producător
onsemi
Ambalare
Tube
Serie
-
Starea produsului
Active
Tip tranzistor
NPN - Darlington
Curent - Colector (Ic) (Max)
2 A
Tensiune - Defalcarea emițătorului colector (Max)
100 V
Saturație Vce (Max) @ Ib, Ic
3V @ 40mA, 4A
Curent - Întrerupere colector (Max)
20µA
Câștig de curent continuu (hFE) (min) @ Ic, Vce
1000 @ 2A, 3V
Putere - Max
1.75 W
Frecvență - Tranziție
25MHz
Temperatura
-65°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet / Carcasă
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Pachet dispozitiv furnizor
DPAK
Numărul de bază al produsului
NJVMJD112
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
2832-NJVMJD112G
Pachet standard
75
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
MJD117T4
TRANS DARL PNP 2A 100V DPAK
2SD1938FTL
TRANS NPN 20V 0.3A MINI3
MJD2955TF
TRANS PNP 60V 10A DPAK
