Numărul de produs al producătorului:
NDD03N60Z-1G
Product Overview
Producător:
onsemi
DiGi Electronics Cod de parte:
NDD03N60Z-1G-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 600V 2.6A IPAK
Descriere detaliată:
N-Channel 600 V 2.6A (Tc) 61W (Tc) Through Hole I-PAK
Inventar:
12841025
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
NDD03N60Z-1G Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
onsemi
Ambalare
-
Serie
-
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
600 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
2.6A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
3.6Ohm @ 1.2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 50µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
12 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
312 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
61W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
I-PAK
Pachet / Carcasă
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Numărul de bază al produsului
NDD03
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
ONSONSNDD03N60Z-1G
2156-NDD03N60Z-1G-ON
NDD03N60Z-1G-DG
NDD03N60Z1G
NDD03N60Z-1GOS
Pachet standard
75
Clasificare de Mediu și Export
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
STU3N80K5
PRODUCĂTOR
STMicroelectronics
CANTITATE DISPONIBILĂ
87
DiGi NUMĂR DE PARTE
STU3N80K5-DG
PREȚ UNIC
0.52
TIP SUBSTITUT
Similar
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
NVMFS5C612NLAFT1G
MOSFET N-CH 60V 38A/250A 5DFN
MTB30P06VT4
MOSFET P-CH 60V 30A D2PAK
FQPF3N80CYDTU
MOSFET N-CH 800V 3A TO220F-3
