Numărul de produs al producătorului:
IRF630B_FP001
Product Overview
Producător:
onsemi
DiGi Electronics Cod de parte:
IRF630B_FP001-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 200V 9A TO220-3
Descriere detaliată:
N-Channel 200 V 9A (Tc) 72W (Tc) Through Hole TO-220-3
Inventar:
12837430
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IRF630B_FP001 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
onsemi
Ambalare
-
Serie
-
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
200 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
9A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
400mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
29 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
720 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
72W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-220-3
Pachet / Carcasă
TO-220-3
Numărul de bază al produsului
IRF63
Informații suplimentare
Pachet standard
1,000
Clasificare de Mediu și Export
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
IRF630
PRODUCĂTOR
Harris Corporation
CANTITATE DISPONIBILĂ
11535
DiGi NUMĂR DE PARTE
IRF630-DG
PREȚ UNIC
0.80
TIP SUBSTITUT
Similar
NUMĂRUL PARTEI
IRF630NPBF
PRODUCĂTOR
Infineon Technologies
CANTITATE DISPONIBILĂ
8085
DiGi NUMĂR DE PARTE
IRF630NPBF-DG
PREȚ UNIC
0.39
TIP SUBSTITUT
Similar
NUMĂRUL PARTEI
IRF630PBF
PRODUCĂTOR
Vishay Siliconix
CANTITATE DISPONIBILĂ
5461
DiGi NUMĂR DE PARTE
IRF630PBF-DG
PREȚ UNIC
0.51
TIP SUBSTITUT
Similar
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
FQB10N50CFTM-WS
MOSFET N-CH 500V 10A D2PAK
FDMS9408-F085
MOSFET N-CH 40V 80A POWER56
FDMS9409-F085
MOSFET N-CH 40V 65A POWER56
