Numărul de produs al producătorului:
HUFA76407DK8T-F085
Product Overview
Producător:
onsemi
DiGi Electronics Cod de parte:
HUFA76407DK8T-F085-DG
Descriere:
MOSFET 2N-CH 60V 8SOIC
Descriere detaliată:
Mosfet Array 60V 2.5W Surface Mount 8-SOIC
Inventar:
12848171
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
HUFA76407DK8T-F085 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET, MOSFET Array-uri
Producător
onsemi
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
UltraFET™
Starea produsului
Active
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Configurație
2 N-Channel (Dual)
Caracteristică FET
Logic Level Gate
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
60V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
-
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
90mOhm @ 3.8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
11.2nC @ 10V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
330pF @ 25V
Putere - Max
2.5W
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Clasă
Automotive
Calificare
AEC-Q101
Tip de montare
Surface Mount
Pachet / Carcasă
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pachet dispozitiv furnizor
8-SOIC
Numărul de bază al produsului
HUFA76407
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
HUFA76407DK8T_F085-DG
HUFA76407DK8T_F085
488-HUFA76407DK8T-F085CT
HUFA76407DK8T-F085-DG
488-HUFA76407DK8T-F085DKR
488-HUFA76407DK8T-F085TR
Pachet standard
2,500
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
NTJD4401NT2G
MOSFET 2N-CH 20V 0.63A SC88
FDMD84100
MOSFET 2N-CH 100V 7A POWER 3.3X5
EFC6611R-TF
MOSFET 2N-CH 12V 27A 6CSP
