Numărul de produs al producătorului:
HUF75639G3
Product Overview
Producător:
onsemi
DiGi Electronics Cod de parte:
HUF75639G3-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 100V 56A TO247-3
Descriere detaliată:
N-Channel 100 V 56A (Tc) 200W (Tc) Through Hole TO-247-3
Inventar:
415 Piese Noi Originale În Stoc
12839182
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
HUF75639G3 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
onsemi
Ambalare
Tube
Serie
UltraFET™
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
100 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
56A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
25mOhm @ 56A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
130 nC @ 20 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
2000 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
200W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-247-3
Pachet / Carcasă
TO-247-3
Numărul de bază al produsului
HUF75639
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
HUF75639G3-DG
HUF75639G3FS
Pachet standard
30
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
Not Applicable
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
FDP2710
MOSFET N-CH 250V 50A TO220-3
FDMS0310S
MOSFET N-CH 30V 19A/42A 8PQFN
FCP9N60N
MOSFET N-CH 600V 9A TO220-3
