Numărul de produs al producătorului:
HUF75333S3
Product Overview
Producător:
onsemi
DiGi Electronics Cod de parte:
HUF75333S3-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 55V 66A I2PAK
Descriere detaliată:
N-Channel 55 V 66A (Tc) 150W (Tc) Through Hole TO-262 (I2PAK)
Inventar:
12838356
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
HUF75333S3 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
onsemi
Ambalare
-
Serie
UltraFET™
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
55 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
66A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
16mOhm @ 66A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
85 nC @ 20 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
1300 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
150W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-262 (I2PAK)
Pachet / Carcasă
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Numărul de bază al produsului
HUF75
Informații suplimentare
Pachet standard
400
Clasificare de Mediu și Export
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
IXTA70N075T2
PRODUCĂTOR
IXYS
CANTITATE DISPONIBILĂ
0
DiGi NUMĂR DE PARTE
IXTA70N075T2-DG
PREȚ UNIC
1.73
TIP SUBSTITUT
Similar
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
FDMS8350L
MOSFET N-CH 40V 47A/200A POWER56
IRLM220ATF
MOSFET N-CH 200V 1.13A SOT223-4
FCHD040N65S3-F155
MOSFET N-CH 650V 65A TO247
