Numărul de produs al producătorului:
FQU8P10TU
Product Overview
Producător:
onsemi
DiGi Electronics Cod de parte:
FQU8P10TU-DG
Descriere:
MOSFET P-CH 100V 6.6A IPAK
Descriere detaliată:
P-Channel 100 V 6.6A (Tc) 2.5W (Ta), 44W (Tc) Through Hole IPAK
Inventar:
12849056
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
FQU8P10TU Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
onsemi
Ambalare
-
Serie
QFET®
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
P-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
100 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
6.6A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
530mOhm @ 3.3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
15 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
470 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
2.5W (Ta), 44W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
IPAK
Pachet / Carcasă
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Numărul de bază al produsului
FQU8P10
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
FQU8P10TU-DG
FQU8P10TUOS
ONSONSFQU8P10TU
2156-FQU8P10TU-OS
2832-FQU8P10TU
Pachet standard
70
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
Not Applicable
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
IRFU9120PBF
PRODUCĂTOR
Vishay Siliconix
CANTITATE DISPONIBILĂ
2697
DiGi NUMĂR DE PARTE
IRFU9120PBF-DG
PREȚ UNIC
0.65
TIP SUBSTITUT
Similar
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
AOB190A60L
MOSFET N-CH 600V 20A TO263
AOL1454
MOSFET N-CH 40V 12A/50A ULTRASO8
AOT12N60
MOSFET N-CH 600V 12A TO220
