Numărul de produs al producătorului:
FQU1N60CTU
Product Overview
Producător:
onsemi
DiGi Electronics Cod de parte:
FQU1N60CTU-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 600V 1A IPAK
Descriere detaliată:
N-Channel 600 V 1A (Tc) 2.5W (Ta), 28W (Tc) Through Hole IPAK
Inventar:
12850201
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
FQU1N60CTU Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
onsemi
Ambalare
-
Serie
QFET®
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
600 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
1A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
11.5Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
6.2 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
170 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
2.5W (Ta), 28W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
IPAK
Pachet / Carcasă
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Numărul de bază al produsului
FQU1N60
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
2156-FQU1N60CTU-OS
FAIFSCFQU1N60CTU
FQU1N60CTU-DG
FQU1N60CTUFS
Pachet standard
70
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
Not Applicable
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
STD1NK60-1
PRODUCĂTOR
STMicroelectronics
CANTITATE DISPONIBILĂ
5751
DiGi NUMĂR DE PARTE
STD1NK60-1-DG
PREȚ UNIC
0.38
TIP SUBSTITUT
Similar
NUMĂRUL PARTEI
STU2N62K3
PRODUCĂTOR
STMicroelectronics
CANTITATE DISPONIBILĂ
3000
DiGi NUMĂR DE PARTE
STU2N62K3-DG
PREȚ UNIC
0.52
TIP SUBSTITUT
Similar
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
FDD26AN06A0
MOSFET N-CH 60V 7A/36A TO252AA
FQPF9N50CYDTU
MOSFET N-CH 500V 9A TO220F-3
AO3406
MOSFET N-CH 30V 3.6A SOT23-3L
