Numărul de produs al producătorului:
FQT4N20LTF
Product Overview
Producător:
onsemi
DiGi Electronics Cod de parte:
FQT4N20LTF-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 200V 850MA SOT223-4
Descriere detaliată:
N-Channel 200 V 850mA (Tc) 2.2W (Tc) Surface Mount SOT-223-4
Inventar:
50 Piese Noi Originale În Stoc
12840019
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
FQT4N20LTF Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
onsemi
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
QFET®
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
200 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
850mA (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
5V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
1.35Ohm @ 425mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
5.2 nC @ 5 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
310 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
2.2W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
SOT-223-4
Pachet / Carcasă
TO-261-4, TO-261AA
Numărul de bază al produsului
FQT4N20
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
FQT4N20LTFDKR
FAIFSCFQT4N20LTF
FQT4N20LTF-DG
FQT4N20LTFTR
FQT4N20LTFCT
2156-FQT4N20LTF-OS
Pachet standard
4,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
BSP297H6327XTSA1
PRODUCĂTOR
Infineon Technologies
CANTITATE DISPONIBILĂ
7629
DiGi NUMĂR DE PARTE
BSP297H6327XTSA1-DG
PREȚ UNIC
0.30
TIP SUBSTITUT
Similar
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
FQP2N90
MOSFET N-CH 900V 2.2A TO220-3
NTD25P03LT4G
MOSFET P-CH 30V 25A DPAK
NVMFS6B25NLT1G
MOSFET N-CH 100V 8A/33A 5DFN
