Numărul de produs al producătorului:
FQPF33N10
Product Overview
Producător:
onsemi
DiGi Electronics Cod de parte:
FQPF33N10-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 100V 18A TO220F
Descriere detaliată:
N-Channel 100 V 18A (Tc) 41W (Tc) Through Hole TO-220F-3
Inventar:
202 Piese Noi Originale În Stoc
12839473
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
FQPF33N10 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
onsemi
Ambalare
Tube
Serie
QFET®
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
100 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
18A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
52mOhm @ 9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
51 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±25V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
1500 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
41W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-220F-3
Pachet / Carcasă
TO-220-3 Full Pack
Numărul de bază al produsului
FQPF3
Fișa de date și documente
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
ONSONSFQPF33N10
2156-FQPF33N10-OS
Pachet standard
1,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
Not Applicable
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
FQPF5P10
MOSFET P-CH 100V 2.9A TO220F
FDC637BNZ
MOSFET N-CH 20V 6.2A SUPERSOT6
FQB34P10TM-F085P
MOSFET P-CH 100V 33.5A D2PAK
