Numărul de produs al producătorului:
FQPF2N90
Product Overview
Producător:
onsemi
DiGi Electronics Cod de parte:
FQPF2N90-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 900V 1.4A TO220F
Descriere detaliată:
N-Channel 900 V 1.4A (Tc) 35W (Tc) Through Hole TO-220F-3
Inventar:
12933336
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
FQPF2N90 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
onsemi
Ambalare
-
Serie
QFET®
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
900 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
1.4A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
7.2Ohm @ 700mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
15 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
500 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
35W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-220F-3
Pachet / Carcasă
TO-220-3 Full Pack
Numărul de bază al produsului
FQPF2
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Pachet standard
1,000
Clasificare de Mediu și Export
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
2SK3566(STA4,Q,M)
PRODUCĂTOR
Toshiba Semiconductor and Storage
CANTITATE DISPONIBILĂ
386
DiGi NUMĂR DE PARTE
2SK3566(STA4,Q,M)-DG
PREȚ UNIC
0.55
TIP SUBSTITUT
Similar
NUMĂRUL PARTEI
STP3NK90ZFP
PRODUCĂTOR
STMicroelectronics
CANTITATE DISPONIBILĂ
799
DiGi NUMĂR DE PARTE
STP3NK90ZFP-DG
PREȚ UNIC
0.48
TIP SUBSTITUT
Similar
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
2SK2624LS
N-CHANNEL SILICON MOSFET
2SK3055-AZ
N-CHANNEL POWER MOSFET
HUF76107P3
N-CHANNEL POWER MOSFET