Numărul de produs al producătorului:
FQPF2N80YDTU
Product Overview
Producător:
onsemi
DiGi Electronics Cod de parte:
FQPF2N80YDTU-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 800V 1.5A TO220F-3
Descriere detaliată:
N-Channel 800 V 1.5A (Tc) 35W (Tc) Through Hole TO-220F-3 (Y-Forming)
Inventar:
2144 Piese Noi Originale În Stoc
12848344
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
FQPF2N80YDTU Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
onsemi
Ambalare
Tube
Serie
QFET®
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
800 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
1.5A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
6.3Ohm @ 750mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
15 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
550 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
35W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-220F-3 (Y-Forming)
Pachet / Carcasă
TO-220-3 Full Pack, Formed Leads
Numărul de bază al produsului
FQPF2
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Pachet standard
50
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
Not Applicable
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
FQPF2N80
PRODUCĂTOR
onsemi
CANTITATE DISPONIBILĂ
987
DiGi NUMĂR DE PARTE
FQPF2N80-DG
PREȚ UNIC
0.66
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMĂRUL PARTEI
IRFIBE20GPBF
PRODUCĂTOR
Vishay Siliconix
CANTITATE DISPONIBILĂ
37
DiGi NUMĂR DE PARTE
IRFIBE20GPBF-DG
PREȚ UNIC
1.13
TIP SUBSTITUT
Similar
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
BUK963R3-60E,118
MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
FDMA86265P
MOSFET P-CH 150V 1A 6MICROFET
FQP34N20
MOSFET N-CH 200V 31A TO220-3
