Numărul de produs al producătorului:
FQPF17N08L
Product Overview
Producător:
onsemi
DiGi Electronics Cod de parte:
FQPF17N08L-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 80V 11.2A TO220F
Descriere detaliată:
N-Channel 80 V 11.2A (Tc) 30W (Tc) Through Hole TO-220F-3
Inventar:
12851101
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
FQPF17N08L Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
onsemi
Ambalare
-
Serie
QFET®
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
80 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
11.2A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
5V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
100mOhm @ 5.6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
11.5 nC @ 5 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
520 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
30W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-220F-3
Pachet / Carcasă
TO-220-3 Full Pack
Numărul de bază al produsului
FQPF1
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Pachet standard
50
Clasificare de Mediu și Export
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
IRFI530NPBF
PRODUCĂTOR
Infineon Technologies
CANTITATE DISPONIBILĂ
7816
DiGi NUMĂR DE PARTE
IRFI530NPBF-DG
PREȚ UNIC
0.52
TIP SUBSTITUT
Similar
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
FCMT299N60
MOSFET N-CH 600V 12A POWER88
IRFR220BTM_FP001
MOSFET N-CH 200V 4.6A DPAK
R6524KNJTL
MOSFET N-CH 650V 24A LPTS
