Numărul de produs al producătorului:
FQP7N20
Product Overview
Producător:
onsemi
DiGi Electronics Cod de parte:
FQP7N20-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 200V 6.6A TO220-3
Descriere detaliată:
N-Channel 200 V 6.6A (Tc) 63W (Tc) Through Hole TO-220-3
Inventar:
12837135
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
FQP7N20 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
onsemi
Ambalare
-
Serie
QFET®
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
200 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
6.6A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
690mOhm @ 3.3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
10 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
400 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
63W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-220-3
Pachet / Carcasă
TO-220-3
Numărul de bază al produsului
FQP7
Informații suplimentare
Pachet standard
50
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
Not Applicable
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
FDD9410L-F085
MOSFET N-CHANNEL 40V 50A TO252
IRFW540ATM
MOSFET N-CH 100V 28A D2PAK
FDS4675
MOSFET P-CH 40V 11A 8SOIC
