Numărul de produs al producătorului:
FQP4N90
Product Overview
Producător:
onsemi
DiGi Electronics Cod de parte:
FQP4N90-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 900V 4.2A TO220-3
Descriere detaliată:
N-Channel 900 V 4.2A (Tc) 140W (Tc) Through Hole TO-220-3
Inventar:
12837358
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
FQP4N90 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
onsemi
Ambalare
-
Serie
QFET®
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
900 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
4.2A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
3.3Ohm @ 2.1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
30 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
1100 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
140W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-220-3
Pachet / Carcasă
TO-220-3
Numărul de bază al produsului
FQP4
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Pachet standard
1,000
Clasificare de Mediu și Export
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
STP6NK90Z
PRODUCĂTOR
STMicroelectronics
CANTITATE DISPONIBILĂ
990
DiGi NUMĂR DE PARTE
STP6NK90Z-DG
PREȚ UNIC
1.41
TIP SUBSTITUT
Similar
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
FQI6N60CTU
MOSFET N-CH 600V 5.5A I2PAK
FDN339AN_G
MOSFET N-CH 20V 3A SUPERSOT3
FDPF10N50FT
MOSFET N-CH 500V 9A TO220F
