Acasă
Produse
Producători
Despre DiGi
Contactați-ne
Bloguri & Postări
Cerere de ofertă
Romania
Conectare
Limbaj selectiv
Limba curentă a alegerii tale:
Romania
Comutare:
Engleză
Europa
Marea Britanie
RD Congo
Argentina
Turcia
România
Lituania
Norvegia
Austria
Angola
Slovacia
ltală
Finlanda
Bielorusia
Bulgaria
Danemarca
Estonia
Polonia
Ucraina
Slovenia
Cehă
Greacă
Croaţia
Israel
Muntenegru
Rusă
Belgia
Suedia
Serbia
Bască
Islanda
Bosnia
Maghiară
Moldova
Germania
Olanda
Irlanda
Asia / Pacific
China
Vietnam
Indonezia
Thailanda
Laos
Filipino
Malaysia
Coreea
Japonia
Hongkong
Taiwan
Singapore
Pakistan
Arabia Saudită
Qatar
Kuweit
Cambodgia
Myanmar
Africa, India și Orientul Mijlociu
Emiratele Arabe Unite
Tadjikistan
Madagascar
India
Iran
Franţa
Africa de Sud
Egipt
Kenya
Tanzania
Ghana
Senegal
Maroc
Tunisia
America de Sud / Oceania
Noua Zeelandă
Portugalia
Brazilia
Mozambic
Peru
Columbia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Spania
Paraguay
Australia
America de Nord
Statele Unite
Haiti
Canada
Costa Rica
Mexic
Despre DiGi
Despre noi
Despre noi
Certificările noastre
DiGi Introducere
De ce DiGi
Politică
Politica de Calitate
Termeni și condiții
Conformitate RoHS
Proces de returnare
Resurse
Categorii de produse
Producători
Bloguri & Postări
Servicii
Garanție de calitate
Modalitate de plată
Expediere globală
Tarife de transport
Întrebări frecvente
Numărul de produs al producătorului:
FQP3N80
Product Overview
Producător:
onsemi
DiGi Electronics Cod de parte:
FQP3N80-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 800V 3A TO220-3
Descriere detaliată:
N-Channel 800 V 3A (Tc) 107W (Tc) Through Hole TO-220-3
Inventar:
RFQ Online
12846456
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
*
Companie
*
Nume de contact
*
Telefon
*
E-mail
Adresă de livrare
Mesaj
(
*
) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
FQP3N80 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
onsemi
Ambalare
-
Serie
QFET®
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
800 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
3A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
5Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
19 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
690 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
107W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-220-3
Pachet / Carcasă
TO-220-3
Numărul de bază al produsului
FQP3
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
FQP3N80-DG
Fișe tehnice
FQP3N80
Informații suplimentare
Pachet standard
50
Clasificare de Mediu și Export
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
STP5NK80Z
PRODUCĂTOR
STMicroelectronics
CANTITATE DISPONIBILĂ
240
DiGi NUMĂR DE PARTE
STP5NK80Z-DG
PREȚ UNIC
0.85
TIP SUBSTITUT
Similar
NUMĂRUL PARTEI
STP3NK90Z
PRODUCĂTOR
STMicroelectronics
CANTITATE DISPONIBILĂ
361
DiGi NUMĂR DE PARTE
STP3NK90Z-DG
PREȚ UNIC
0.77
TIP SUBSTITUT
Similar
NUMĂRUL PARTEI
STP4NK80Z
PRODUCĂTOR
STMicroelectronics
CANTITATE DISPONIBILĂ
0
DiGi NUMĂR DE PARTE
STP4NK80Z-DG
PREȚ UNIC
0.76
TIP SUBSTITUT
Similar
NUMĂRUL PARTEI
FQP6N80C
PRODUCĂTOR
onsemi
CANTITATE DISPONIBILĂ
344
DiGi NUMĂR DE PARTE
FQP6N80C-DG
PREȚ UNIC
0.93
TIP SUBSTITUT
Similar
NUMĂRUL PARTEI
STP2N80K5
PRODUCĂTOR
STMicroelectronics
CANTITATE DISPONIBILĂ
1680
DiGi NUMĂR DE PARTE
STP2N80K5-DG
PREȚ UNIC
0.46
TIP SUBSTITUT
Similar
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
AON6226
MOSFET N-CHANNEL 100V 48A 8DFN
FDFS2P102
MOSFET P-CH 20V 3.3A 8SOIC
FDS6675
MOSFET P-CH 30V 11A 8SOIC
FDMC4436BZ
MOSFET P-CH