Numărul de produs al producătorului:
FQP2N60
Product Overview
Producător:
onsemi
DiGi Electronics Cod de parte:
FQP2N60-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 600V 2.4A TO220-3
Descriere detaliată:
N-Channel 600 V 2.4A (Tc) 64W (Tc) Through Hole TO-220-3
Inventar:
12848940
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
FQP2N60 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
onsemi
Ambalare
-
Serie
QFET®
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
600 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
2.4A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
4.7Ohm @ 1.2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
11 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
350 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
64W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-220-3
Pachet / Carcasă
TO-220-3
Numărul de bază al produsului
FQP2
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Pachet standard
1,000
Clasificare de Mediu și Export
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
IRFBC20PBF
PRODUCĂTOR
Vishay Siliconix
CANTITATE DISPONIBILĂ
7738
DiGi NUMĂR DE PARTE
IRFBC20PBF-DG
PREȚ UNIC
0.47
TIP SUBSTITUT
Similar
NUMĂRUL PARTEI
STP3NK60Z
PRODUCĂTOR
STMicroelectronics
CANTITATE DISPONIBILĂ
5888
DiGi NUMĂR DE PARTE
STP3NK60Z-DG
PREȚ UNIC
0.58
TIP SUBSTITUT
Similar
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
FQP45N15V2
MOSFET N-CH 150V 45A TO220-3
FQI4N90TU
MOSFET N-CH 900V 4.2A I2PAK
FDD8870
MOSFET N-CH 30V 21A/160A TO252AA