Numărul de produs al producătorului:
FQP19N20C
Product Overview
Producător:
onsemi
DiGi Electronics Cod de parte:
FQP19N20C-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 200V 19A TO220-3
Descriere detaliată:
N-Channel 200 V 19A (Tc) 139W (Tc) Through Hole TO-220-3
Inventar:
12850274
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
FQP19N20C Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
onsemi
Ambalare
-
Serie
QFET®
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
200 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
19A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
170mOhm @ 9.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
53 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
1080 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
139W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-220-3
Pachet / Carcasă
TO-220-3
Numărul de bază al produsului
FQP19
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
2166-FQP19N20C-488
Pachet standard
50
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
Not Applicable
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
IRF200B211
PRODUCĂTOR
Infineon Technologies
CANTITATE DISPONIBILĂ
4746
DiGi NUMĂR DE PARTE
IRF200B211-DG
PREȚ UNIC
0.51
TIP SUBSTITUT
Similar
NUMĂRUL PARTEI
STP19NF20
PRODUCĂTOR
STMicroelectronics
CANTITATE DISPONIBILĂ
0
DiGi NUMĂR DE PARTE
STP19NF20-DG
PREȚ UNIC
0.63
TIP SUBSTITUT
Similar
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
FCB20N60FTM
MOSFET N-CH 600V 20A D2PAK
FDP6030L
MOSFET N-CH 30V 48A TO220-3
AO3415
MOSFET P-CH 20V 4A SOT23-3L
