FQP15P12

Numărul de produs al producătorului:

FQP15P12

Product Overview

Producător:

onsemi

DiGi Electronics Cod de parte:

FQP15P12-DG

Descriere:

MOSFET P-CH 120V 15A TO220-3

Descriere detaliată:

P-Channel 120 V 15A (Tc) 100W (Tc) Through Hole TO-220-3

Inventar:

RFQ Online

12838116

Cere ofertă

Cantitate
Minim 1

(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore

TRIMITE

FQP15P12 Specificații tehnice

Categorie

FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri

Producător

onsemi

Ambalare

-

Serie

QFET®

Starea produsului

Obsolete

Tip FET

P-Channel

Tehnologie

MOSFET (Metal Oxide)

Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)

120 V

Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C

15A (Tc)

Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds Activat (Max) @ Id, Vgs

200mOhm @ 7.5A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs

38 nC @ 10 V

Vgs (Max)

±30V

Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds

1100 pF @ 25 V

Caracteristică FET

-

Disiparea puterii (max)

100W (Tc)

Temperatura

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tip de montare

Through Hole

Pachet dispozitiv furnizor

TO-220-3

Pachet / Carcasă

TO-220-3

Numărul de bază al produsului

FQP15

Fișa de date și documente

Fișa de date HTML

Fișe tehnice

Informații suplimentare

Pachet standard

1,000

Clasificare de Mediu și Export

Starea RoHS

ROHS3 Compliant

Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)

Not Applicable

Starea REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Certificare DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Produse Asemănătoare

infineon-technologies

BSP317PE6327

MOSFET P-CH 250V 430MA SOT223-4

onsemi

FCPF165N65S3L1

MOSFET N-CH 650V 19A TO220F-3

onsemi

FQP6N50C

MOSFET N-CH 500V 5.5A TO220-3

onsemi

FDD3680

MOSFET N-CH 100V 25A TO252