Numărul de produs al producătorului:
FQP11N40C
Product Overview
Producător:
onsemi
DiGi Electronics Cod de parte:
FQP11N40C-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 400V 10.5A TO220-3
Descriere detaliată:
N-Channel 400 V 10.5A (Tc) 135W (Tc) Through Hole TO-220-3
Inventar:
1566 Piese Noi Originale În Stoc
12847847
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
FQP11N40C Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
onsemi
Ambalare
Tube
Serie
QFET®
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
400 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
10.5A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
530mOhm @ 5.25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
35 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
1090 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
135W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-220-3
Pachet / Carcasă
TO-220-3
Numărul de bază al produsului
FQP11
Fișa de date și documente
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
2156-FQP11N40C-OS
FQP11N40CFS
ONSONSFQP11N40C
FQP11N40C-DG
Pachet standard
50
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
Not Applicable
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
FQI4N80TU
MOSFET N-CH 800V 3.9A I2PAK
AOW7S60
MOSFET N-CH 600V 7A TO262
FQPF30N06
MOSFET N-CH 60V 21A TO220F
