FQI47P06TU

Numărul de produs al producătorului:

FQI47P06TU

Product Overview

Producător:

onsemi

DiGi Electronics Cod de parte:

FQI47P06TU-DG

Descriere:

MOSFET P-CH 60V 47A I2PAK

Descriere detaliată:

P-Channel 60 V 47A (Tc) 3.75W (Ta), 160W (Tc) Through Hole TO-262 (I2PAK)

Inventar:

RFQ Online

12848516

Cere ofertă

Cantitate
Minim 1

(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore

TRIMITE

FQI47P06TU Specificații tehnice

Categorie

FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri

Producător

onsemi

Ambalare

-

Serie

QFET®

Starea produsului

Obsolete

Tip FET

P-Channel

Tehnologie

MOSFET (Metal Oxide)

Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)

60 V

Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C

47A (Tc)

Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds Activat (Max) @ Id, Vgs

26mOhm @ 23.5A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs

110 nC @ 10 V

Vgs (Max)

±25V

Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds

3600 pF @ 25 V

Caracteristică FET

-

Disiparea puterii (max)

3.75W (Ta), 160W (Tc)

Temperatura

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tip de montare

Through Hole

Pachet dispozitiv furnizor

TO-262 (I2PAK)

Pachet / Carcasă

TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA

Numărul de bază al produsului

FQI4

Fișa de date și documente

Fișa de date HTML

Fișe tehnice

Informații suplimentare

Pachet standard

1,000

Clasificare de Mediu și Export

Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)

1 (Unlimited)

Starea REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Certificare DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Produse Asemănătoare

onsemi

NTHS4501NT1

MOSFET N-CH 30V 4.9A CHIPFET

onsemi

FDB8132_F085

MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK

onsemi

FDP39N20

MOSFET N-CH 200V 39A TO220-3

onsemi

FQE10N20CTU

MOSFET N-CH 200V 4A TO126-3